Kingston Technology KSM56R46BD4PMI-96HMI module de mémoire 96 Go 1 x 96 Go DDR5 ECC
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508,99 €
TTC
Politique de livraison et garanties
Caractéristiques | |
---|---|
Type de mémoire mise en cache | Registered (buffered) |
On-Die ECC | Oui |
Latence CAS | 46 |
Mémoire interne | 96 Go |
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) | 1 x 96 Go |
Type de mémoire interne | DDR5 |
Débit de transfert des données de mémoire | 5600 MT/s |
composant pour | PC/serveur |
Support de mémoire | 288-pin DIMM |
ECC | Oui |
Niveau de mémoire | 2 |
Mémoire de tension | 1.1 V |
Configuration de module | 12288M x 80 |
Temps du cycle de la ligne (TRC) | 48 ns |
Refresh row cycle time (TRFC) | 295 ns |
Rayon de temps actif | 32 ns |
Durée de précharge de rang (TRP) | 16 |
Profil SPD | Oui |
Tension de programmation (VPP) | 1,8 V |
Type de refroidissement | Radiateur |
Placage en plomb | Or |
Norme JEDEC | Oui |
Conditions environnementales | |
Température d'opération | 0 - 95 °C |
Température hors fonctionnement | -55 - 100 °C |
Durabilité | |
Conformité à la durabilité | Oui |
Certificats de durabilité | RoHS |
Ne contient pas | Halogène |
Poids et dimensions | |
Largeur | 133,3 mm |
Hauteur | 31,2 mm |
INFORMATIONS GÉNÉRALES
Hauteur | 31,2 mm |
Largeur | 133,3 mm |
Mémoire interne | 96 Go |
Type de mémoire interne | DDR5 |
Température d'opération | 0 - 95 °C |
Certificats de durabilité | RoHS |
Conformité à la durabilité | Oui |
Type de refroidissement | Radiateur |
ECC | Oui |
composant pour | PC/serveur |
Température hors fonctionnement | -55 - 100 °C |
Support de mémoire | 288-pin DIMM |
Ne contient pas | Halogène |
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) | 1 x 96 Go |
Mémoire de tension | 1.1 V |
Type de mémoire mise en cache | Registered (buffered) |
Latence CAS | 46 |
On-Die ECC | Oui |
Niveau de mémoire | 2 |
Configuration de module | 12288M x 80 |
Norme JEDEC | Oui |
Placage en plomb | Or |
Profil SPD | Oui |
Rayon de temps actif | 32 ns |
Refresh row cycle time (TRFC) | 295 ns |
Temps du cycle de la ligne (TRC) | 48 ns |
Tension de programmation (VPP) | 1,8 V |
Débit de transfert des données de mémoire | 5600 MT/s |
Durée de précharge de rang (TRP) | 16 |