Samsung 990 EVO M.2 1 To PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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SAMSUNG
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Description



Caractéristiques
Version NVMe 2.0
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Facteur de forme SSD M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Interface PCI Express 4.0
Type de mémoire V-NAND TLC
NVMe Oui
composant pour Universel
Le chiffrement matériel Oui
Vitesse de lecture 5000 Mo/s
Vitesse d'écriture 4200 Mo/s
Flux de données d'interface PCI Express x4
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Révision CEM PCI Express 4.0
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Classe TBW 600
Puissance
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique (Lecture) 4,9 W
Consommation électrique (Ecriture) 4,5 W
Consommation d 'énergie (en mode veille) 0,005 W
Consommation électrique (idle) 0,06 W
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 70 °C
Température hors fonctionnement -40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H) 5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage) 5 - 95%
Vibrations hors fonctionnement 20 G
Choc hors fonctionnement 1500 G
Détails techniques
Période de garantie 5 année(s)
Poids et dimensions
Largeur 80,2 mm
Profondeur 22,1 mm
Hauteur 2,38 mm
Poids 9 g
Informations sur l'emballage
Type d'emballage Boîte

INFORMATIONS GÉNÉRALES

Hauteur 2,38 mm
Largeur 80,2 mm
Poids 9 g
Profondeur 22,1 mm
Type d'emballage Boîte
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
NVMe Oui
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Consommation d 'énergie (en mode veille) 0,005 W
Humidité relative de fonctionnement (H-H) 5 - 95%
Température d'opération 0 - 70 °C
Période de garantie 5 année(s)
composant pour Universel
Facteur de forme SSD M.2
Interface PCI Express 4.0
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Température hors fonctionnement -40 - 85 °C
Type de mémoire V-NAND TLC
Vitesse d'écriture 4200 Mo/s
Taux d'humidité relative (stockage) 5 - 95%
Classe TBW 600
Le chiffrement matériel Oui
Vitesse de lecture 5000 Mo/s
Flux de données d'interface PCI Express x4
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Version NVMe 2.0
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique (Ecriture) 4,5 W
Consommation électrique (Lecture) 4,9 W
Consommation électrique (idle) 0,06 W
Choc hors fonctionnement 1500 G
Vibrations hors fonctionnement 20 G
Révision CEM PCI Express 4.0
Détails du produit
SAMSUNG
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